Cristais de carboneto de silício de 12 polegadas
2025-01-06 12:52
Em 31 de dezembro de 2024, de acordo com a China Electronic Materials Industry Association, a Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., uma subsidiária da China Electronics Technology Semiconductor Materials Co., Ltd., desenvolveu recentemente com sucesso um substrato monocristalino de carboneto de silício semi-isolante de alta pureza de 12 polegadas (300 mm) e desenvolveu com sucesso um substrato monocristalino de carboneto de silício tipo N de 12 polegadas ao mesmo tempo.
Em termos de capacidade de construção, o projeto Shuoke Crystal Silicon Carbide Fase II passou pela aceitação de conclusão em outubro de 2024, marcando o início oficial da produção do projeto. Espera-se que a conclusão do projeto Fase II traga à Shuoke Crystal mais 200.000 substratos de carboneto de silício de 6-8 polegadas por ano, incluindo 200.000 substratos de cristal único de carboneto de silício tipo N por ano e 25.000 substratos de alta pureza por ano.
Em termos de progresso de 8 polegadas, a Shuoke Crystal desenvolveu cristais de carboneto de silício de 8 polegadas em agosto de 2021 e, em janeiro de 2022, a Shuoke Crystal atingiu a produção em pequena escala de wafers de polimento de carboneto de silício tipo N de 8 polegadas. O aumento no tamanho do wafer significa que mais chips podem ser fabricados em cada wafer, melhorando assim a eficiência da produção. Isso não apenas reduz o custo de produção de um único chip, mas também otimiza o custo geral de fabricação. Portanto, wafers de grande porte são mais economicamente eficientes e trazem maiores vantagens competitivas aos fabricantes.
Atualmente, wafers de grande porte se tornaram um objetivo comum perseguido pelos principais fabricantes. Além da Shuoke Crystal, a Tianyue Advanced lançou um produto de substrato de carboneto de silício tipo N de 12 polegadas em 13 de novembro de 2024, marcando que a indústria de carboneto de silício entrou oficialmente na era de substratos de carboneto de silício de tamanho ultragrande. Embora o campo de substratos de carboneto de silício esteja atualmente se transformando de 6 polegadas para 8 polegadas, a evolução futura para 12 polegadas tem alta visibilidade.
Obter o preço mais recente? Responderemos o mais breve possível (dentro de 12 horas)