Hoje, com a aceleração da industrialização de materiais semicondutores de terceira geração, o carbeto de silício (SiC) está se expandindo de aplicações tradicionais em altas temperaturas para setores estratégicos emergentes, como semicondutores e novas energias, graças às suas principais vantagens, como alta densidade de potência, resistência a altas pressões e temperaturas e baixo consumo de energia. Como empresa líder no setor de carbeto de silício há 30 anos, a Shenyang Starlight Technology Ceramics testemunhou e participou de todo o processo da indústria chinesa de carbeto de silício, desde sua origem até o crescimento, e realizou com sucesso a expansão internacional de seus produtos, com profundo conhecimento técnico e inovações contínuas, estabelecendo um padrão para a substituição de materiais no mercado interno de semicondutores. As características superiores dos materiais de carbeto de silício são a principal base para a Shenyang Starlight alcançar avanços internacionais. Com um ponto de fusão de até 2730 °C, o carbeto de silício mantém a estabilidade estrutural mesmo após uso prolongado abaixo de 1600 °C, apresentando um coeficiente de expansão térmica de apenas 4,0 × 10⁻⁶/K e alta condutividade térmica de 120-150 W/(m・K), o que o torna perfeitamente adequado para os ambientes severos da fabricação de semicondutores. Comparado aos materiais tradicionais à base de silício, o carbeto de silício possui desempenho excepcional em resistência à corrosão química e baixa liberação de partículas, conferindo-lhe vantagens insubstituíveis em processos de precisão, como a fabricação de wafers. No processo de crescimento de cristais em wafers de 12 polegadas, o suporte de cadinho de carbeto de silício produzido pela empresa suporta a carga de forma estável em altas temperaturas acima de 1400 °C, evitando o amolecimento e a inclinação do cadinho de quartzo. Em processos de corte, retificação e outros, os dispositivos de fixação e discos de retificação de cerâmica de carbeto de silício controlam erros de espessura do wafer na escala micrométrica, graças à sua alta dureza e baixa contaminação, melhorando significativamente o rendimento dos chips. Trinta anos de profundo desenvolvimento técnico permitiram à Shenyang Starlight dar um salto bem-sucedido do tradicional campo de altas temperaturas para o setor de semicondutores. Já na década de 90 do século passado, a empresa concentrou-se na pesquisa e desenvolvimento básicos de cerâmicas de carbeto de silício e, gradualmente, expandiu seus produtos para todo o processo de fabricação de wafers, acompanhando a constante evolução das exigências de desempenho dos materiais na indústria de semicondutores. Hoje, os produtos de carbeto de silício da empresa abrangem componentes essenciais, como componentes de campo térmico para crescimento de cristais, anéis guia de corte e suportes para almofadas de polimento, substituindo metais tradicionais e materiais cerâmicos comuns na fabricação de dispositivos semicondutores de alta tensão e alta potência, e solucionando os principais problemas do setor, como a fácil corrosão e a baixa estabilidade dimensional dos materiais tradicionais.Especialmente na produção de dispositivos de alta tecnologia, como os IGBTs de SiC, os materiais de suporte de substrato de carbeto de silício fornecidos pela empresa representam uma garantia fundamental para a localização da produção de dispositivos de alta tensão acima de 18 kV na China.

O talento é a principal força motriz por trás da inovação tecnológica. A Shenyang Starlight alinha consistentemente o aprimoramento das habilidades de seus funcionários com as últimas tendências do setor. Em resposta às rápidas iterações tecnológicas na área de semicondutores, a empresa estabeleceu um mecanismo de treinamento contínuo, convidando especialistas do setor para ministrar palestras especializadas sobre tópicos como aplicações de materiais semicondutores de terceira geração e tecnologias de processamento de wafers de 8 e 12 polegadas, além de organizar equipes técnicas para estudar os avanços mais recentes em contatos ôhmicos de baixa temperatura, processos de trincheira e muito mais. Por meio de intercâmbios técnicos com institutos de pesquisa e participação em cúpulas do setor, os funcionários acompanham continuamente as mudanças na demanda em áreas de aplicação como redes inteligentes e veículos de novas energias, garantindo que o desenvolvimento de produtos esteja alinhado às necessidades do mercado. Esse modelo de dupla atuação, "P&D tecnológica e formação de talentos", permite que a empresa mantenha uma vantagem competitiva para enfrentar os desafios da "última milha" em aplicações de dispositivos de carbeto de silício em larga escala. Posicionada na vanguarda da aplicação em larga escala da indústria de carboneto de silício, a Shenyang Starlight continuará a construir sobre trinta anos de acúmulo tecnológico, focando na inovação de materiais e na otimização de processos no campo dos semicondutores, acompanhando as tendências da indústria, como a comercialização de substratos de carboneto de silício de 12 polegadas e aplicações de dispositivos de ultra-alta tensão, e apoiando o desenvolvimento autônomo e controlável da indústria de semicondutores da China com produtos de maior qualidade, enquanto escreve um novo capítulo no mercado promissor de materiais semicondutores de terceira geração.